نخستین لیزر نیمه‌رسانای ژرمانیوم-قلع جهان برای تراشه‌های سیلیک

ads
ads
ads
تبلیغات
ads
adsads
  • نظام قدیم
  • دوره آموزش ابتدایی
  • دوره اول متوسطه جدید
  • سوالات دبیرستان
  • دانشگاه
  • کنکور ارشد
  • کنکور دکتری
  • دبیرستان و کنکور
  • کنکور سراسری
  • آزمون های آزمایشی آلم
  • آزمون آزمایشی موسسات
  • المپیاد
  • مسابقات آمایشگاهی
  • آزمون علمی
  • اسلاید های آموزشی
  • حل المسائل
  • مشاوره
  • آموزشگاه آزاد
  • سایر
  • خبر های آموزشی
  • کتابخانه
  •  نخستین لیزر نیمه‌رسانای ژرمانیوم-قلع جهان برای تراشه‌های سیلیک

    محققان مرکز پژوهشی یولیش و مرکز تحقیقات پل شرر سوئد با همکاری شرکای بین‌المللی از اولین نیمه‌رسانایی رونمایی کرده‌اند که تنها از عناصر گروه اصلی چهارم تشکیل شده است.

    در نتیجه، لیزر ژرمانیوم-قلع می‌تواند مستقیما بر روی یک تراشه سیلیکونی اعمال شده و پایه جدیدی برای انتقال داده به تراشه‌های رایانه بوسیله نور ایجاد کند. این انتقال سریع‌تر از سیمهای مسی بوده و تنها به کسری از انرژی نیاز دارد.

    انتقال داده بین چند هسته و همچنین بین عناصر منطقی و سلولهای حافظه به عنوان گلوگاهی در فناوری به سرعت در حال رشد رایانه محسوب می‌شود. انتقال داده توسط نور می‌تواند پاسخی به درخواست برای جریان سریع و کارآمد داده به تراشه‌های رایانه‌ای و همچنین بین اجزای مختلف بورد باشد.

    برخی شبکه‌خای مخابراتی راه دور و مراکز محاسباتی برای چندین دهه است که از ارتباطات نوری استفاده می‌کنند. آن‌ها از پهنای باند بسیار بالا برای فواصل دور نیز استفاده می‌کنند. انتشار سیگنال از میان فیبرهای نوری تقریبا بدون اتلاف بوده و بطور همزمان از طول موجهای مختلف امکان‌پذیر است.

    اساس ساخت تراشه، سیلیکون است که یکی از عناصر گروه اصلی چهارم جدول تناوبی محسوب می‌شود. لیزرهای نیمه‌رسانی رایج برای سیستم‌های مخابراتی به عنوان مثال از آرسنید گالیوم ساخته شده اما هزینه‌بر بوده و از عناصر گروه‌های سوم یا پنجم تشکیل می‌شوند. این امر عواقب عمیقی بر خواص بلور دارد.

    از این رو نمی‌توان چنین اجزای لیزری را مستقیما بر روی سیلیکون اعمال کرد و باید با تلاش زیاد بطور جداگانه تولید شده و سپس به ویفر سیلیکونی چسبانده شوند.

    البته عمر این گونه اجزا سر آمده زیرا ضرایب انبساط حرارتی این عناصر بسیار با سیلیکون متفاوت است.

    این در حالیست که نیمه رساناهای گروه اصلی چهارم که ژرمانیوم و سیلیکون عضو آن هستند، می‌توانند بدون مشکل مهمی وارد فرآیند تولید شوند. اگرچه هیچ کدام از این عناصر از کارآمدی کافی به عنوان منبع نوری برخوردار نیستند و هر دو به عنوان نیمه‌رساناهای غیرمستقیم شناخته شده‌اند.

    محققان مرکز پژوهشی یولیش اکنون برای اولین بار توانسته‌اند یک لیزر واقعی نیمه‌رسانای مستقیم گروه اصلی چهارم را با ترکیب ژرمانیوم و قلع تولید کرده و سپس آن را بطور مستقیم بر روی یک ویفر سیلیکونی اعمال کنند.

    در کنار تراشه‌های رایانه‌ای می‌توان به حسگرهای گازی یا تراشه‌های قابل کاشت برای کاربردهای پزشکی به منظور جمع‌آوری اطلاعات از سطوح قند خون یا دیگر پارامترها توسط تجزیه و تحلیل طیفی در میان کاربردهای دیگر این لیزر جدید اشاره کرد.


    تبلیغ
    تاریخ : پنجشنبه 02 بهمن 1393 نویسنده : آلم |بازدید : 109
    ارسال نظر برای این مطلب

    قابل توجه کاربران عزیز :

    • کلیه فایل های سایت بدون پسورد می باشد، در صورتی که در این رابطه مشکل دارید به بخش راهنمای سایت مراجعه فرمائید
    • فایل های سایت در اکثر موارد با فرمت pdf می باشند که جهت کاهش حجم آنها را در winrar قرار داده ایم. برای دانلود نرم افزار های مذکور به بخش راهنمای سایت مراجعه شود


    نام
    ایمیل (منتشر نمی‌شود) (لازم)
    وبسایت
    :):(;):D;)):X:?:P:*=((:O@};-:B/:):S
    نظر خصوصی
    مشخصات شما ذخیره شود ؟[حذف مشخصات] [شکلک ها]
    کد امنیتی
    مطالب پربازدید
    مطالب تصادفی
    مطالب پیشین
    adsadsadsصفر تا صد عربی کنکوراپ دیکشنری زبان خارجه